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内存标签的含义来源于瑞达科技网
作者:瑞达科技  文章来源:网络  点击数  更新时间:2008/6/21   文章录入:admin  责任编辑:瑞达科技

具体含义解释:
例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns 、(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义:
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
 1、HY代表是现代的产品
 2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
 3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V 
 4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
 5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
 6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
 7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
 8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
 9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
 10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ

 11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
现代的mBGA封装的颗粒
内存大全 Samsung 具体含义解释: 例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。

现代的mBGA封装的颗粒 Infineon(亿恒) Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如: 1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。
KINGMAX、KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
Micron(美光)以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。TG——封装方式,TG即TSOP封装。-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。
Winbond(华邦)含义说明:W XX XX XX XX 1 2 3 4 5
  1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
  2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM
 3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
 4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
 5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz

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